产品知识-第33页

隧穿场效应晶体管（TFET）的工作原理是带间隧穿，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作电压可以进一步地降低。

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在实际项目中，我们基本都用增强型。

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MOS管被击穿的原因及解决方案如下

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MOS管被击穿的原因及解决方案如下

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主要是各极的半导体类型不同，PNP管的E、B、C三极分别是P型、N型、P型半导体，NPN管正好相反。

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主动元件和被动元件

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